上芯完退库兰膜在烘烤时,每个提篮中最多放置不超过5片晶圆,且各片晶圆之间应保持4槽以上的间隔。（)

A.操作员

B.物料员

C.生产组长

D.领班

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.领班

B.作业员

C.生产组长

D.核算员

A.1次/更换晶圆

B.1次/更换产品

C.1次/更换客户

D.1次/更换封装形式

A、划片切割参数异常

B、上芯粘片参数异常，传送过程不当

A.烘烤前

B.烘烤后

C.烘烤时

D.装片时

A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中

A.双芯片上芯产品，一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后，应进行烘烤后，方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后，可以放置在生产现场的货架上，不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品，应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品，如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的，应立即停机反馈

A、1

B、2

C、3

D、4

A.湿涂膜未充分闪干后烘烤

B.玻璃钢基材表面有气孔

C.压缩空气管道内有水汽

D.基材上有油脂

A.110~130℃

B.100~150℃

C.100~110℃

D.130~150℃

E.175℃