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[主观题]

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2,λn=0。PMOS管的参数为:VTP= -1V,KP=25μA/V,λP=0,设全部管子均运行于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA

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更多“电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2 ”相关的问题

第1题

电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻ri
电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻ri

电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。

(1)画出该电路的微变等效电路;

(2)求输入电阻ri和输出电阻ro;

(3)当时us=15mV,求输出电压uo

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第2题

电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes
电路如图题5.5.3所示,设β=100,Rsi=2千欧,试求:(1)Q点;(2)输入电阻Ri;(3)电压增益Aes

1=v01/vN和Aes2=v02/vN;(4)输出电阻R01和R02

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第3题

已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri

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第4题

电路如图题3.5.1所示,所有稳压管均为硅管,且稳定电压Vz=8V,设vi=15sinwtV, 试绘出v0
1和v02的波形。

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第5题

如图题5.4.2所示的偏置电路中,热敏电阻Rt具有负温度系数,问能否起到稳定静态工作点的作用?

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第6题

电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R

d=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is

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第7题

单管放大电路如图题5.3.9所示,已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号
单管放大电路如图题5.3.9所示,已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;(2)画出简化H参数小信号

等效电路;(3)估算BJT的输入电阻rbe;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻,计算Ae=v0/vi及Aen=v0/vs

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第8题

已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5(a)、(b)、(c)、(d)所示,试问应选择哪些电路才能实现

已知某些电路的输入、输出波形分别如图题9.2.5(a)、(b)、(c)、(d)所示,试问应选择哪些电路才能实现如图所示的输入、输出波形对应关系?

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第9题

源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第10题

电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn

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第11题

某放大电路中Am的对数幅频特性如图题6.1.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AeM|,上
某放大电路中Am的对数幅频特性如图题6.1.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AeM|,上

限频率fH,下限频率fL;(2)当输入信号的频率f=fL或f=fH时,该电路实际增益是多少分贝?

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