对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。

A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

A.本征状态

B.平坦能带状态

C.多子积累状态

D.深耗尽状态

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

A.P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电

B.N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电

C.P型半导体和N型半导体对外都不导电

室温时，P型半导体的霍耳系数为（)。【填写“正”或“负”】

某半导体存在温度差时，在半导体两端产生了电动势，若半导体的高温端Vs为正，则该半导体是（)型半导体。【填写“N”或“P”】