锗pn结的正向导通电压大约为（)V。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

A.0.3

B.1

C.0.7

D.2

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.放大区

A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理

B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加

C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理

D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加

E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

晶体三极管内部含有()个PN结，外部具有()个电极，分别是()、()、()。