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[判断题]

砷化镓微波射频器件主流制造工艺包括HBT工艺、pHEMT工艺和整合两者的BiHEMT工艺。()

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发布时间：2024-04-24

更多“砷化镓微波射频器件主流制造工艺包括HBT工艺、pHEMT工艺和整合两者的BiHEMT工艺。()”相关的问题

第1题

集成电路通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能（）

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第2题

二极管多用锗、（）及砷化镓材料制造

A.硅

B.锰

C.锌

D.钠

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第3题

砷化镓芯片，天水华天工艺成熟，无论减划、上芯还是压焊等均可以生产（）

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第4题

多元化合物薄膜太阳能电池主要包括（）。

A.砷化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物电池

B.硫化镉电池

C.碲化镉电池

D.铜铟硒薄膜电池

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第5题

集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么?

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第6题

砷化镓的湿法刻蚀液是磷酸。()

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第7题

CIGS是指（）

A.砷化镓

B.铜铟镓硒

C.异质结

D.硫化镉

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第8题

磷砷化镓二极管发（）

A.白光

B.红光

C.紫光

D.橙光

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第9题

家用LED台灯常用到砷化镓（GaAs），已知砷化镓中Ga的化合价为+3价，则As的化合价为（）

A.﹣2

B.﹣3

C.﹣4

D.﹣5

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第10题

汉瓦的材质是（）半导体化合物

A.铜铟镓硒

B.砷化镓

C.非晶薄膜

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第11题

属于绝缘介质膜的是()。

A.砷化镓

B.二氧化硅

C.氮化硅

D.多晶硅

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