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[单选题]

场效应管是通过改变来改变漏极电流的()。

A.漏源极电压

B.栅极电流

C.栅源极电压

D.源极电流

答案
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更多“场效应管是通过改变来改变漏极电流的()。”相关的问题

第1题

()是半导体场效应管的交流参数。

A.开启电压

B.夹断电压

C.饱和漏极电流

D.输出电阻

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第2题

某场效应管,在漏、源电压保持不变的情况下,柵源电压UGs变化4V,相应的漏极电流变化16mA,该管的跨导是()。

A.4mA/V

B.0.25mA/V

C.0.25V/mA

D.4A/V

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第3题

场效应管的主要参数有()等。
场效应管的主要参数有()等。

A . 夹断电压

B . 开启电压

C . 饱和漏极电流

D . 低频跨导

E . 最大耗散功率

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第4题

压磁式传感器与电感式传感器既相似又不同,不同之处主要体现在()环节。

A.通过不同因素的改变来引起电感值改变的

B.通过不同因素的改变来引起被测电量的改变

C.通过不同因素的改变来引起线圈匝数的改变

D.通过不同因素的改变来引起线圈磁导率的改变

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第5题

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:

(1)它是N沟道还是P沟道的FET?

(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?

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第6题

双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。

A.共基极

B.共源极

C.共漏极

D.共栅极

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第7题

短沟道效应会导致的后果不包括的是()。

A.阈值电压降低,器件特性改变

B.亚阈值特性变差,漏电流更加明显

C.漏极电子发生倍增,形成衬底电流

D.沟道电阻降低,饱和电流上升

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第8题

场效应管的漏极用英文字母()表示.

A.S;

B.G;

C.D;

D.V

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第9题

MOS场效应管结构包括()。

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

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第10题

通常怎样改变外界条件来改变来影响化学平衡的移动?
通常怎样改变外界条件来改变来影响化学平衡的移动?

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第11题

完整性检查程序是反病毒程序,它通过识别文件和系统的改变来发现病毒。()
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