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[主观题]

硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：IE=1mA，CTE=1pF，xB=0.5μm， Dn=25cm2／s，xm=2.4μm，rSC=20Ω，CTC=0.2pF．求发

硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：I_E=1mA，C_TE=1_pF，x_B=0.5μm，

D_n=25cm²/s，x_m=2.4μm，r_SC=20Ω，C_TC=0.2pF．求发射区集电区渡越时间和截止频率．

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发布时间：2023-02-16

更多“硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：IE=1mA，CTE=1pF，xB=0.5μm， Dn=25cm2／s，xm=2.4μm，rSC=20Ω，CTC=0.2pF．求发”相关的问题

第1题

目前国产的晶体管，锗管大多为NPN型，硅管大多为PNP型。（)

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第2题

国产晶体管3DG系列表示()。

A.硅材料NPN型高频小功率三极管

B.锗材料PNP型高频大功率三极管

C.硅材料NPN型低频小功率三极管

D.锗材料PNP型低频大功率三极管

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第3题

设某晶体管三个极的电位分别为UE=-3V，UB=-2.3，UC=6.5V则该管是()。

A.PNP型管

B.NPN管

C.PNP管

D.NPN型硅管

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第4题

已知有两个晶体管都工作于放大状态，测得它们的三个极的电位分别为-0.7V、-1V、-6V和2.5V、3.2V、9V，试判断三个

极，并说明它们是PNP型还是NPN型，是锗管还是硅管？

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第5题

有两个晶体管分别接在电路中，今测得它们管脚的电位（对“地”)分别如下表所列，试判别管子的三个管脚，并说明是

有两个晶体管分别接在电路中，今测得它们管脚的电位(对“地”)分别如下表所列，试判别管子的三个管脚，并说明是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？

晶体管Ⅰ

管脚	1	2	3
电位/V	4	3.4	9

晶体管Ⅱ

管脚	1	2	3
电位/V	-6	-2.3	-2

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第6题

NPN晶体管工作在放大区时，其集电极电位Vc、基极电位VB、发射极电位VE的关系为：Vc＞VB＞VE。（）

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第7题

半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极管、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。()

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第8题

计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第9题

在交流放大电路中，测得一只三极各管脚对地电位是8V，4V，4.7V，则该管是()。

A.NPN型硅管

B.NPN型锗管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

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第10题

在交流放大电路中，测得一只三极各管脚对地电位是-7V，-2V，-1.7V，则该管是()。

A.NPN型硅管

B.NPN型锗管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

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第11题

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

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