图LT5-10所示电路,已知试在深度负反馈条件下估算

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V₁=200mV,试分别求出V_GS=2.5V、3V时的V₀值,并进行分析.

在图LP4-2所示电路中,已知室温下硅管的β=100,V_BE（on)=0.7V,I_CBO=10^-15A,试求:室

温下I_CQ、VC_EQ值,温度升高40℃、降低60℃两种情况下V_CEQ值,并分析其工作模式.

图LP2-15所示电路中,已知a=0.98,V_BE（on)=0.7V,I_CEO≈0.（1)试求I_B、I_C、V_CE;（

2)若R_E=0,R_B2开路,指出电路工作模式.

电路如题图5-3(a)所示。已知u_c(t)=cos2tV，试求电源电压u_s(t)。分别绘出题图中所标出的所有电压和和所标出的所有电流的相量图。

.若电路接法有错,改电路:若电路正确但给定的逻辑关系不对,则写出正确的逻辑表达式.能正常工作的在图中括号内打“√",否则打“x".已知TTL门的I_OH=0.4mA,I_OL=10mA,U_OH=3.6V,U_OL=0.3V,CMOS门的V_DD=5V,U_OH=5V,U_OL=0V,I_OH=0.51mA,I_OL=0.51mA.

电压±U_z=±6V,R₁=R₂=R₃=R₄=R₅=R,C₁=C₂=C.

(1)试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件;

(2)求出电路的振荡频率;

(3)画出u_o1和u_o2的波形图,要求表示出它们的相位关系,并分别求出它们的峰值.

在图题9.3.2所示带通滤波电路中，设试计算中心频率f₀和带宽BW,画出其选频特性。

在图11-45所示的电动三爪自定心卡盘传动轮系中，设已知各轮的齿数为试求传动比i₁₄。

表示。

在图P7.16所示电路中,已知u_I1=4V,u_I2=1V.回答下列问题:

(1)当开关s闭合时,分别求解A、B、C、D和uo的电位;

(2)设t=0时S打开,问经过多长时间u_o=0？