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[主观题]

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ()A.Na+、K+,尤

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ()

A.Na+、K+,尤其是Na+

B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+

C.Na+、Cl、K+,尤其是K+

D.K+、Cl-,尤其是Cl-

E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

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更多“抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ()A.Na+、K+,尤”相关的问题

第1题

兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是()

A.突触前膜均去极化发生兴奋反应

B.突触后膜均去极化发生兴奋反应

C.突触前膜释放的递质性质一样

D.突触后膜对离子通透性一样

E.产生的突触后电位的最终效应一样

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第2题

关于突触传递过程,正确的叙述是()

A.突触前膜去极化,膜对Ca2+通透性增大

B.胞内Ca2+浓度增加促进囊泡向突触前膜移动

C.囊泡内递质释放至突触间隙

D.递质与突触后膜受体结合,打开某种离子通道

E.突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位

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第3题

抑制性突触后电位的产生主要与下列哪种离子跨突触后膜内流有关()

A.a2+

B.Na +

C.K +

D.l-

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第4题

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()

A.是局部超极化电位

B.具有全或无性质

C.由突触后膜对钠通透性增加所致

D.由突触前膜递质释放量减少所致

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第5题

兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的形成过程中,共同的是()

A.突触前膜均发生去极化

B.突触前膜释放的递质的性质一样

C.突触后膜对离子的通透性的改变一样

D.突触后膜均发生去极化

E.突触后膜均发生超极化

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第6题

抑制性突触后电位是突触后膜()

A.去极化

B.超极化

C.反极化

D.复极化

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第7题

突触前抑制的产生是由于()。

A.突触前膜超极化

B.突触前膜释放抑制性递质

C.突触后膜超极化

D.突触前膜释放兴奋性递质减少

E.突触后膜对Cl-通透性增加

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第8题

IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()

A.Na

B.a

C.K

D.Na

E.Na

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第9题

抑制性突触后电位是()

A.去极化局部电位

B.超极化局部电位

C.具有全或无特性

D.突触后膜钠+通透性增加所致

E.突触前膜递质释放减少所致

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第10题

抑制性突触后电位()

A.是去极化局部电位

B.是超极化局部电位

C.具有全或无特征

D.是突触前膜递质释放减少所致

E.是突触后膜递质释放减少所致

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