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[单选题]

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:()。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

答案
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更多“下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:()。”相关的问题

第1题

发光二极管的核心部分是由下列哪种半导体组成的晶片?()

A.P型半导体

B.N型半导体

C.P型半导体和N型半导体

D.PN结

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第2题

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结A.一个B.两个

半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理,由三块半导体结合而成,因此具有()PN结

A.一个

B.两个

C.三个

D.四个

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第3题

晶体三极管内部含有()个PN结,外部具有()个电极,分别是()、()、()。

晶体三极管内部含有()个PN结,外部具有()个电极,分别是()、()、()。

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第4题

PN结击穿后就损坏了。()
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第5题

常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。

A.0V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.5V

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第6题

当晶体三极管的两个PN结均处于正偏时,则此三极管处于()状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.非正常

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第7题

稳压管也是一种二极管,与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的()区。

A.正向击穿

B.截止

C.放大

D.反向击穿

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第8题

PN结两端反向偏压时、难以进行()。

A.多子扩散

B.少子扩散

C.多子漂移

D.少子漂移

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第9题

PN结外加反向电压时,外力日电场的方向与自建电场的方向一致,使空间电荷区(),势垒加高。

A.变窄

B.变宽

C.变小

D.不变

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第10题

异质结的超注入现象是指?()

A.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

B.在异质pn结中,由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度

C.在异质pn结中,宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中,其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

D.在异质pn结中,由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度

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第11题

在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A.提高半导体的导电能力

B.降低半导体的导电能力

C.制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件

D.产生PN结

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