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[单选题]

晶体管工作在截止状态时其条件是__()

A.发射结正向偏置,集电结反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压或反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.集电结电压大子其死区电压

答案

B、发射结电压小于其死区电压或反向偏置

更多“晶体管工作在截止状态时其条件是__()”相关的问题

第1题

晶体管工作在截止状态时其条件是()。

A.发射结正向偏置,集电结反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压或反向偏置

C.发射结集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第2题

两个PN结均为反偏时,晶体管工作在饱和状态,两个PN结均为正偏时,晶体管工作在截止状态()
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第3题

两个PN结都为正偏时,晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时,晶体管工作在截止状态。()
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第4题

双极型晶体管在满足一定条件时,它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。()
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第5题

以下关于晶体管工作状态的描述中,不正确的是()

A.晶体管输出特性曲线可以分为截止区、放大区和饱和区

B.当UCE>UBE时,晶体管工作于截止区

C.晶体管放大区可以用于信号放大电路

D.晶体管截止区和饱和区通常应用与逻辑电路中

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第6题

在晶体管逆变器中是利用晶体管工作于导通和截止状态来代替K1和K2的()和()。
在晶体管逆变器中是利用晶体管工作于导通和截止状态来代替K1和K2的()和()。

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第7题

三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏
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第8题

三极管工作在截止状态的条件是()。

A.发射结正向偏置,集电結反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压

C.发射结和集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第9题

三极管工作在截止状态的条件为()。

A.发射结正向偏置,集电結反向偏置

B.发射结电压小于其死区电压

C.发射结和集电结都正向偏置

D.集电结电压大于其死区电压

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第10题

NPN型晶体管工作在放大状态时,其发射极电压与发射极电流的关系为
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第11题

某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管,测得VE=-3V,VCE=6V,VBC=-5.4V,则该管是()

A.PNP型处于放大工作状态

B.PNP型处于截止状态

C.NPN型处于放大工作状态

D.NPN型处于截止状态

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