在大于40倍的显微镜下观察，胶膜上顶针痕迹不可辨认或顶针痕迹太深致使胶膜破损为不良。（)

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.消除细菌

B.消毒

C.替细胞染色

D.分离细胞核和细胞质

A、40MI

B、100MI

C、150MI

D、250MIC

A.上料架

B.顶针系统

C.料盒

D.吸嘴

A.大于25 mm

B.小于25 mm

C.大于30 mm

D.小于30 mm

A.产品有无压划伤

B.崩单晶

C.顶针印迹

D.旧吸嘴有无粘片胶或外来物沾污状况

E.粘片胶厚度

A.纵向有鳞片

B.纵向光滑，有沟槽

C.纵向有转曲

D.平直光滑

A.交接班

B.更换吸嘴

C.调整晶圆部分摄像头CCD角度(AD829A)

D.调整晶圆部分摄像头倍率

E.更换顶针

A.弯曲条纹

B.包裹体

C.表面

A.运动误差

B.相邻误差

C.累积误差和相邻误差

D.累积误差和运动误差