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[主观题]

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向

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第1题

已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri

已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小

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第2题

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。(1)利用图解法求解Q点;(

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。

(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解Au,ri和ro

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b),(c) 所示。

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第3题

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:

(1)它是N沟道还是P沟道的FET?

(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?

一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2)它的夹断电压uP

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第4题

已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和电流IDSS约

已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和电流IDSS约为多少?

已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和

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第5题

某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第6题

电路如图题7.1.6所示,设T1、T2的特性完全相同,且ree>Re2,re≈VT<R,求电
流源的输出电阻。

电路如图题7.1.6所示,设T1、T2的特性完全相同,且ree>Re2,re≈VT<R,求电流源的输

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第7题

画出由与非门构成的基本RS触发器输出端Q和的电压波形,输入端和的电压波形分别如图题4.1(a)、(b)所示。

画出由与非门构成的基本RS触发器输出端Q和的电压波形,输入端和的电压波形分别如图题4.1(a)、(b)所示。画出由与非门构成的基本RS触发器输出端Q和的电压波形,输入端和的电压波形分别如图题4.1(a)、(b画出由与非门构成的基本RS触发器输出端Q和的电压波形,输入端和的电压波形分别如图题4.1(a)、(b

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第8题

电路如图题10.8.6所示,设稳压管Dz的双向限幅值为±6V。(1)试画出该电路的传输特性;(2)画出幅
电路如图题10.8.6所示,设稳压管Dz的双向限幅值为±6V。(1)试画出该电路的传输特性;(2)画出幅

值为6V,正弦信号电压vi所对应的输出电压波形。

电路如图题10.8.6所示,设稳压管Dz的双向限幅值为±6V。(1)试画出该电路的传输特性;(2)画

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第9题

为满足收集、贮存和转移利用处置的需要,将危险废物按照($spaces$)和($spaces$)分别归类()

A.形态

B.状态

C.危险特性

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第10题

电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn

电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分

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